仪器英文名

FIB-SEM system

型号

Helios NanoLab 460HP

制造商

FEI

购买年份

2015

仪器工程师

王磊

Tel: 022-60216409

E-Mail : wl00909004@163.com

安放地点

12号教学楼一层

技术指标

1、在最佳工作距离的分辨率：

      ≤0.6 nm @ 2 kV（二次电子成像分辨率）

      ≤0.7 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）

  在双束交叉点的分辨率：

      ≤0.6 nm @ 15 kV（二次电子成像分辨率）

      ≤0.9 nm @ 5 kV（二次电子成像分辨率）

      ≤1.2 nm @ 1 kV（二次电子成像分辨率）

2、电子束着陆电压：20 V ～ 30 kV

3、离子束加速电压：500 V ～ 30 kV

4、离子束束流强度：0.1 pA ～ 65 nA      

5、离子束分辨率：2.5 nm @ 30 kV（使用单边测量法）

≤4.0 nm @ 30 kV（利用统计测量法）

6、沉积及刻蚀辅助材料： Pt、C、TEOS、W、XeF₂

7、配备有纳米机械手

8、配备有防样品被空气氧化的传输装置

主要功能

1、二次电子、背散射电子以及镓离子成像

2、三维重构和数据分析

3、TEM样品的制备

4、半导体元器件、集成电路的修补和失效分析

5、EDS能谱分析（点、线、面）

应用范围

用于材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域