天津理工大学功能晶体研究院副院长，高级工程师。1998年本科毕业于四川大学材料科学系，2009年硕士毕业于天津大学电子与通信工程专业。1998-2019年在中国电子科技集团公司第四十六研究所从事光电晶体及半导体材料制备工艺研究。2010年起先后任中国电科第四十六所研发部副主任、主任，中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室副主任，特聘研究员。天津市“131”创新型人才第一层次人选。2019年调入天津理工大学功能晶体研究院。目前为中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会理事。

主要研究领域为II-VI族、III-V族及宽禁带半导体单晶材料生长工艺研究、单晶材料加工技术研究。熟悉PVT、HVPE、VB、VGF、Cz、LEC、EFG等多种单晶生长工艺，且具有丰富的单晶生长设备设计制造经验。先后主持科研项目20多项，申请发明及实用新型专利百余项。

主持科研项目

1.        4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底工程化技术研究，装备发展部进口替代项目，2015-2016，2361万；

2.        HVPE法制备GaN同质衬底，科技部863项目，2007-2009，270万；

3.        XXXXXXXXXXX     PIN二极管用反外延材料，2005~2006，640万；

4.        2英寸CdS紫外探测单晶材料研究，2009~2010年，450万；

5.        企业委托课题，2024 -2026，600万；

6.        企业委托课题，2021 -2026，160万。

发表论文及专利

1.      M Li, Y Liu, X Qi, W Ma, Y Xu, Z Hu, Y   Wu, Journal of Materiomics, 2024, 100994.

2.      Y Liu, M Li, Z Yan, X Qi, W Ma, J Chen, Y   Xu, Z Hu, Journal of Crystal Growth, 2024, 643, 127801.

3.      X Tao, Y Xu, J Chen, Y Yu, X Qi, W Ma, Z   Hu, Crystals, 2024, 14 (4), 331.

4.      J Han, J Chen, L Li, Y Yu, W Ma, X Qi, Y   Wu, Y Xu, physica status solidi (a), 2023, 220 (12), 2300060.

5.      于行, 赵琪, 齐小方, 马文成, 徐永宽, 胡章贵, 人工晶体学报, 2024, 53(07), 1212-1221.

6.      徐永宽, 金雷, 等, 不同颜色AlN单晶缺陷研究, 人工晶体学报2018, 47(7),   1340-1345.

7.      徐永宽, 陈建丽, 等, MPCVD侧面扩展生长单晶金刚石形貌及光谱, 半导体技术, 2018, 43(9), 676-701.

8.      徐永宽, 程红娟, 等, HVPE法生长AlN薄膜材料, 微纳电子技术, 2010, 47(2),   89-92.

9.      徐永宽, GaN体单晶生长技术研究现状,   半导体技术, 2007, 32(2), 101-105.

10.  徐永宽, 程红娟, 蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究, 半导体技术, 2008, 33(11), 988-990.

11.  徐永宽等, 一种提高PVT法碳化硅单晶生长速率的生长方法, CN118621432B, 2024.

12.  徐永宽等, 一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法,       CN119020868A,   2024.

13.  徐永宽等, 一种制备氮化物自支撑衬底的方法,   CN101661876B, 2009.

奖励与荣誉

1. 中国电子科技集团公司科学技术奖, 中国电子科技集团公司, 2014年, 二等奖。

2. 中国电科科技创新突出贡献奖, 2010年。